Micron Technology şirketi ve IBM, Micron’un, yeni nesil bir bellek cihazı üretimine başlayacaklarını duyurdular. IBM’in Through-silicon vias (TSV) adı verilen dikey kablo boruları kullanılarak gerçekleştirilecek yonga üretim süreci, Micron’un Hibrit Bellek Küpü için (Hybrid Memory Cube) ürününün hızının mevcut teknolojiye kıyasla 10 kat artmasını sağlayacak. IBM’in New York’un East Fishkill kentinde bulunan gelişmiş yarıiletken fabrikasında üretilecek yonga, 32nm’lik high-k metal geçit sürecinden geçerek hazırlanacak. TSV’lerle bir araya getirilerek ve Micron’un en yeni teknolojilerle donatılmış DRAM flaş bellek ürününün katmanlarından oluşacak olan HMC bellekleri, enerji gereksinimi yüzde 70 oranında düşürecek. HMC bellekleri aynı zamanda mevcut cihazların kapasitelerinden daha üstün bant genişliği ve verimlilik düzeyleri sunacak; 128GB/sn. Bu, şu anda 12.8GB/sn üst sınıra sahip klasik belleklerin tam 10 katı bir hız anlamına geliyor. 3D Hibrit Küp Bellekler, ayrıca mevcut belleklerin kapladığı alanın yaklaşık onda biri kadar yer kaplayacak. Hibrit Bellek Küpü yeni nesil bellekleri; geniş ölçekli ağ oluşturma, yüksek hesap gücü isteyen bilgi işlem ve endüstriyel otomasyondan, tüketici ürünlerine uzanan geniş ve çeşitli uygulamaların performansları açısından yeni bir dönem açacak.